KMXP&KMT系列 AMR磁阻传感器 直线或旋转角度监测

2024-01-22 184

  磁阻传感器基本可分为两个类别。在高磁场应用中,例如施加场的磁场强度高到足以使软磁传感器材料达到饱和(约为 H>10 kA/m)时,传感器中的磁化矢量始终(几乎)平行于施加场。磁阻高磁场传感器的一个常见应用是非接触式角度传感器,例如 KMT32B、KMT36H 或 KMT39 磁阻传感器。在低磁场应用中,磁化矢量主要由带条的形式决定,因为磁化显示了纵向流变的自然偏好。外部磁场导致带条中磁化的 α 扭曲,这在 MR 效应的作用下改变了电阻。此模式中通常会使用线性低磁场传感器。

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  磁阻效应,1857年科学家将一个铁块放在磁场中,注意到铁块的电阻发生了微弱变化,由此发现了磁阻效应。但直到 100 多年后的 1971 年,才第一次提出了磁阻传感器的概念。,到了1991年,IBM 公司在硬盘驱动器中引入了第一个 MR 头,使用一条磁阻材料来检测位数。此前,MR 传感器只是用于要求不高的价格标签和标记阅读器(只读)及磁带应用中。

  监控温度、压力、张力或流量等属性的传感器会提供与所需参数直接相关的输出信号。另一方面,磁传感器不同于大多数的这类检测器,因为磁传感器通常不是直接测量相关的物理属性,而是检测变化,或者由物体或事件造成或改变的磁场干扰。因此,磁场可能带有与方向、存在状态、旋转、角度或电流等属性相关的信息,而这些信息将由磁传感器转换为电压。少数磁传感器是完全测量磁场,例如指南针中测量地磁场。输出信号需经过一些信号处理以转换为所需参数。显然,磁场分布取决于产生或干扰磁场的物体(即磁体、电流等)或事件的距离和形式。因此,在应用设计中,应始终考虑传感器和产生磁场的物体这两方面的因素,这一点非常重要。尽管磁传感器的使用难度更大,但却能提供精确、可靠的数据,而且无需使用物理连接。


  


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